ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
90-TFBGA (8x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
133 MHz
Voltage - alimentation:
2.3V ~ 3V
Temps d'accès:
6 ns
Emballage / boîtier:
90-TFBGA
Organisation de la mémoire:
16M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM - Pour appareils mobiles
Numéro du produit de base:
Le nombre total d'émissions de CO2
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
90-TFBGA (8x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
133 MHz
Voltage - alimentation:
2.3V ~ 3V
Temps d'accès:
6 ns
Emballage / boîtier:
90-TFBGA
Organisation de la mémoire:
16M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM - Pour appareils mobiles
Numéro du produit de base:
Le nombre total d'émissions de CO2
Format de mémoire:
DRAM
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
SDRAM - mémoire mobile IC 512 Mbit parallèle 133 MHz 6 ns 90-TFBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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