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Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises soient conformes à l'article 5 du règlement (UE) no 1303/2013.

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Catégorie:	Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire	Taille de mémoire:	9Mbit
Statut du produit:	Actif	Type de montage:	Monture de surface
Le paquet:	Tape et bobine (TR)	Série:	-
DigiKey est programmable:	Pas vérifié	Interface de mémoire:	Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:	-	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:	Les produits de base	Mfr:	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:	117 mégahertz	Voltage - alimentation:	3.135V à 3.465V
Temps d'accès:	7,5 NS	Emballage / boîtier:	100-LQFP
Organisation de la mémoire:	256K X 36	Température de fonctionnement:	-40°C à 85°C (TA)
Technologie:	SRAM - Synchrone, DTS	Numéro du produit de base:	Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.
Format de mémoire:	SRAM

Catégorie:	Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:	9Mbit
Statut du produit:	Actif
Type de montage:	Monture de surface
Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-
DigiKey est programmable:	Pas vérifié
Interface de mémoire:	Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:	Les produits de base
Mfr:	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:	117 mégahertz
Voltage - alimentation:	3.135V à 3.465V
Temps d'accès:	7,5 NS
Emballage / boîtier:	100-LQFP
Organisation de la mémoire:	256K X 36
Température de fonctionnement:	-40°C à 85°C (TA)
Technologie:	SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:	Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.
Format de mémoire:	SRAM