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MT29F1G08ABBFAH4-AAT : F

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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
25ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
63-VFBGA (9x11)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Micron Technology Inc.
Taille de mémoire:
1Gbit
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Temps d'accès:
25 ns
Emballage / boîtier:
63-VFBGA
Organisation de la mémoire:
128M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 105°C (TA)
Technologie:
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la liste ci-dessous:
Numéro du produit de base:
MT2F1G08
Format de mémoire:
Flash
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
25ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
63-VFBGA (9x11)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Micron Technology Inc.
Taille de mémoire:
1Gbit
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Temps d'accès:
25 ns
Emballage / boîtier:
63-VFBGA
Organisation de la mémoire:
128M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 105°C (TA)
Technologie:
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Numéro du produit de base:
MT2F1G08
Format de mémoire:
Flash
MT29F1G08ABBFAH4-AAT : F
Flash - NAND (SLC) mémoire IC 1Gbit parallèle 25 ns 63-VFBGA (9x11)
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