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S29GL512T12DHN010

Détails de produit

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Définition: Flash - Ni mémoire IC 512MB (64M)

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Mettre en évidence:
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
Les produits de base
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
60 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
64-FBGA (9x9)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Taille de mémoire:
512 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
120 ns
Emballage / boîtier:
64-LBGA
Organisation de la mémoire:
64M x 8
Température de fonctionnement:
-40 °C à 125 °C (TA)
Technologie:
Flash - Ni même
Numéro du produit de base:
S29GL512
Format de mémoire:
Flash
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
Les produits de base
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
60 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
64-FBGA (9x9)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Taille de mémoire:
512 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
120 ns
Emballage / boîtier:
64-LBGA
Organisation de la mémoire:
64M x 8
Température de fonctionnement:
-40 °C à 125 °C (TA)
Technologie:
Flash - Ni même
Numéro du produit de base:
S29GL512
Format de mémoire:
Flash
S29GL512T12DHN010
Flash - NOR mémoire IC 512Mbit parallèle 120 ns 64-FBGA (9x9)
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