ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
25ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
4Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
25 ns
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
256K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
CY14B104
Format de mémoire:
NVSRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
25ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
4Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
25 ns
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
256K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
CY14B104
Format de mémoire:
NVSRAM
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 4 Mbit parallèle à 25 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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