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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
9Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
3.135V à 3.465V
Temps d'accès:
3.1 ns
Emballage / boîtier:
100-LQFP
Organisation de la mémoire:
512K x 18
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couverture.
Format de mémoire:
SRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
9Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
3.135V à 3.465V
Temps d'accès:
3.1 ns
Emballage / boîtier:
100-LQFP
Organisation de la mémoire:
512K x 18
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couverture.
Format de mémoire:
SRAM
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
SRAM - mémoire IC SDR synchrone 9Mbit parallèle 200 MHz 3,1 ns 100-LQFP (14x20)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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