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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
9Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Fréquence d'horloge:
133 MHz
Voltage - alimentation:
2,4 V ~ 2,6 V
Temps d'accès:
4,2 NS
Emballage / boîtier:
208-LFBGA
Organisation de la mémoire:
256K X 36
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - double port, synchrone
Numéro du produit de base:
70T3519
Format de mémoire:
SRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
9Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Fréquence d'horloge:
133 MHz
Voltage - alimentation:
2,4 V ~ 2,6 V
Temps d'accès:
4,2 NS
Emballage / boîtier:
208-LFBGA
Organisation de la mémoire:
256K X 36
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - double port, synchrone
Numéro du produit de base:
70T3519
Format de mémoire:
SRAM
Le nombre de personnes concernées par les mesures de protection des consommateurs
SRAM - Port double, mémoire synchrone IC 9Mbit parallèle 133 MHz 4.2 ns 208-CABGA (15x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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