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MT47H128M16RT-25E : C

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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
2Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
84-FBGA (9x12.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:
400 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V à 1.9V
Temps d'accès:
400 picosecondes
Emballage / boîtier:
84-TFBGA
Organisation de la mémoire:
128M x 16
Température de fonctionnement:
0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Numéro du produit de base:
MT2dépôt de la Commission
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
2Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
84-FBGA (9x12.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:
400 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V à 1.9V
Temps d'accès:
400 picosecondes
Emballage / boîtier:
84-TFBGA
Organisation de la mémoire:
128M x 16
Température de fonctionnement:
0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Numéro du produit de base:
MT2dépôt de la Commission
Format de mémoire:
DRAM
MT47H128M16RT-25E : C
SDRAM - mémoire DDR2 IC 2Gbit parallèle 400 MHz 400 ps 84-FBGA (9x12.5)
ps6ahq937s9zjstx