ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TFBGA (8x8)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
166 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Temps d'accès:
5,5 NS
Emballage / boîtier:
54-TFBGA
Organisation de la mémoire:
32 M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM - Pour appareils mobiles
Numéro du produit de base:
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TFBGA (8x8)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
166 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Temps d'accès:
5,5 NS
Emballage / boîtier:
54-TFBGA
Organisation de la mémoire:
32 M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM - Pour appareils mobiles
Numéro du produit de base:
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
Format de mémoire:
DRAM
Les produits de base doivent être soumis à des contrôles de qualité.
SDRAM - mémoire mobile IC 512 Mbit parallèle 166 MHz 5,5 ns 54-TFBGA (8x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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