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Mettre en évidence:

Catégorie:	Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire	Taille de mémoire:	576 Mbit
Statut du produit:	Actif	Type de montage:	Monture de surface
Le paquet:	Tape et bobine (TR)	Série:	-
DigiKey est programmable:	Pas vérifié	Interface de mémoire:	Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:	-	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Les pièces d'un type ou d'un type de véhicule ne doivent pas contenir plus d'une partie de l'équipem
Type de mémoire:	Les produits de base	Mfr:	Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:	533 mégahertz	Voltage - alimentation:	1.7V à 1.9V
Temps d'accès:	15 NS	Emballage / boîtier:	144-TFBGA
Organisation de la mémoire:	16 M x 36	Température de fonctionnement:	-40°C à 85°C (TA)
Technologie:	DRAM	Numéro du produit de base:	MT3dépôt de pension
Format de mémoire:	DRAM

Catégorie:	Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:	576 Mbit
Statut du produit:	Actif
Type de montage:	Monture de surface
Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-
DigiKey est programmable:	Pas vérifié
Interface de mémoire:	Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Les pièces d'un type ou d'un type de véhicule ne doivent pas contenir plus d'une partie de l'équipem
Type de mémoire:	Les produits de base
Mfr:	Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:	533 mégahertz
Voltage - alimentation:	1.7V à 1.9V
Temps d'accès:	15 NS
Emballage / boîtier:	144-TFBGA
Organisation de la mémoire:	16 M x 36
Température de fonctionnement:	-40°C à 85°C (TA)
Technologie:	DRAM
Numéro du produit de base:	MT3dépôt de pension
Format de mémoire:	DRAM

MT4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A

Mémoire DRAM IC 576Mbit parallèle 533 MHz 15 ns 144-FBGA (18.5x11)

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