ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Maison > produits > Mémoire IC Puce > Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
1Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
96-TWBGA (9x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
800 MHz
Voltage - alimentation:
1.425V | 1.575V
Temps d'accès:
20 ns
Emballage / boîtier:
96-TFBGA
Organisation de la mémoire:
64M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 95°C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3
Numéro du produit de base:
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
1Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
96-TWBGA (9x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
800 MHz
Voltage - alimentation:
1.425V | 1.575V
Temps d'accès:
20 ns
Emballage / boîtier:
96-TFBGA
Organisation de la mémoire:
64M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 95°C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3
Numéro du produit de base:
Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.
Format de mémoire:
DRAM
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
SDRAM - mémoire DDR3 IC 1Gbit parallèle 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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