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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.

Détails de produit

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Définition: RMLV0816BGB - LPSRA avancé de 8 Mb

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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
45ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique, les caractéristiques suivantes doivent être utilisées:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Taille de mémoire:
8Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Emballage / boîtier:
48-TFBGA
Organisation de la mémoire:
512K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
45 ns
Format de mémoire:
SRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
45ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique, les caractéristiques suivantes doivent être utilisées:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Taille de mémoire:
8Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Emballage / boîtier:
48-TFBGA
Organisation de la mémoire:
512K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
45 ns
Format de mémoire:
SRAM
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
SRAM - mémoire asynchrone IC 8Mbit parallèle 45 ns 48-TFBGA (7,5x8,5)
ps6ahq937s9zjstx