ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Description de produit
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
64 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
66-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
L'électronique de Winbond
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
2.3V | 2.7V
Temps d'accès:
55 ns
Emballage / boîtier:
66-TSSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
4M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Numéro du produit de base:
W9464G6
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
64 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
66-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
L'électronique de Winbond
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
2.3V | 2.7V
Temps d'accès:
55 ns
Emballage / boîtier:
66-TSSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
4M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Numéro du produit de base:
W9464G6
Format de mémoire:
DRAM
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité à la présente directive.
SDRAM - mémoire DDR IC 64 Mbit parallèle 200 MHz 55 ns 66-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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