ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
256Mbit
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
60-TFBGA (8x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
2.3V | 2.7V
Temps d'accès:
700 picosecondes
Emballage / boîtier:
60-TFBGA
Organisation de la mémoire:
16M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Numéro du produit de base:
Pour l'utilisation des produits suivants:
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
256Mbit
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
60-TFBGA (8x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
2.3V | 2.7V
Temps d'accès:
700 picosecondes
Emballage / boîtier:
60-TFBGA
Organisation de la mémoire:
16M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Numéro du produit de base:
Pour l'utilisation des produits suivants:
Format de mémoire:
DRAM
Le produit doit être présenté dans un emballage en acier.
SDRAM - mémoire DDR IC 256Mbit parallèle 200 MHz 700 ps 60-TFBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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