ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Maison > produits > Mémoire IC Puce > S29GL512S10DHSS23
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
GL-S
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
60 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
64-FBGA (9x9)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
512 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
100 NS
Emballage / boîtier:
64-LBGA
Organisation de la mémoire:
32 M x 16
Température de fonctionnement:
0°C ~ 85°C (TA)
Technologie:
Flash - Ni même
Numéro du produit de base:
S29GL512
Format de mémoire:
Flash
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
GL-S
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
60 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
64-FBGA (9x9)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
512 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
100 NS
Emballage / boîtier:
64-LBGA
Organisation de la mémoire:
32 M x 16
Température de fonctionnement:
0°C ~ 85°C (TA)
Technologie:
Flash - Ni même
Numéro du produit de base:
S29GL512
Format de mémoire:
Flash
S29GL512S10DHSS23
Flash - NOR mémoire IC 512Mbit parallèle 100 ns 64-FBGA (9x9)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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