ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
8ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Taille de mémoire:
8Mbit
Voltage - alimentation:
2.4V | 3.6V
Temps d'accès:
8 ans
Emballage / boîtier:
48-TFBGA
Organisation de la mémoire:
512K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Numéro du produit de base:
IS61WV51216
Format de mémoire:
SRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
8ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
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Taille de mémoire:
8Mbit
Voltage - alimentation:
2.4V | 3.6V
Temps d'accès:
8 ans
Emballage / boîtier:
48-TFBGA
Organisation de la mémoire:
512K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Numéro du produit de base:
IS61WV51216
Format de mémoire:
SRAM
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
SRAM - mémoire asynchrone IC 8Mbit parallèle 8 ns 48-TFBGA (6x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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