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MT29F2G08ABBEAH4-AITX : E

Détails de produit

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Définition: Les données de l'appareil doivent être utilisées pour le traitement des données de l'appareil

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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
63-VFBGA (9x11)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Micron Technology Inc.
Taille de mémoire:
2Gbit
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Emballage / boîtier:
63-VFBGA
Organisation de la mémoire:
256M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
Flash - NAND
Numéro du produit de base:
MT2F2G08
Format de mémoire:
Flash
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
63-VFBGA (9x11)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Micron Technology Inc.
Taille de mémoire:
2Gbit
Voltage - alimentation:
1.7V ~ 1.95V
Emballage / boîtier:
63-VFBGA
Organisation de la mémoire:
256M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
Flash - NAND
Numéro du produit de base:
MT2F2G08
Format de mémoire:
Flash
MT29F2G08ABBEAH4-AITX : E
FLASH - CI mémoire NAND 2Gbit Parallèle 63-VFBGA (9x11)
ps6ahq937s9zjstx