ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Détails de produit

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Définition: CI DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

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Mettre en évidence:
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
143 mégahertz
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Temps d'accès:
5,4 NS
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
32 M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM
Numéro du produit de base:
Pour l'utilisation de l'aéronef
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
143 mégahertz
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Temps d'accès:
5,4 NS
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
32 M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM
Numéro du produit de base:
Pour l'utilisation de l'aéronef
Format de mémoire:
DRAM
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Mémoire SDRAM IC 512 Mbit Parallèle 143 MHz 5,4 ns 54-TSOP II
ps6ahq937s9zjstx