ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Le nombre d'unités utilisées est déterminé par la méthode suivante:

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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
2Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
HSUL_12
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de fois où les données sont utilisées est supérieur ou égal à:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
L'électronique de Winbond
Fréquence d'horloge:
400 MHz
Voltage - alimentation:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Emballage / boîtier:
Les produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après:
Organisation de la mémoire:
64 M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - LPDDR2-S4B mobile
Numéro du produit de base:
W97BH2
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
2Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
HSUL_12
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de fois où les données sont utilisées est supérieur ou égal à:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
L'électronique de Winbond
Fréquence d'horloge:
400 MHz
Voltage - alimentation:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Emballage / boîtier:
Les produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après:
Organisation de la mémoire:
64 M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - LPDDR2-S4B mobile
Numéro du produit de base:
W97BH2
Format de mémoire:
DRAM
Le nombre d'unités utilisées est déterminé par la méthode suivante:
SDRAM - IC de mémoire mobile LPDDR2-S4B 2Gbit HSUL_12 400 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
ps6ahq937s9zjstx