ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
4.5Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
165-TFBGA (13x15)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
117 mégahertz
Voltage - alimentation:
3.135V à 3.465V
Temps d'accès:
7,5 NS
Emballage / boîtier:
165-TBGA
Organisation de la mémoire:
128K x 36
Température de fonctionnement:
-40 °C à 125 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
Format de mémoire:
SRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
4.5Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
165-TFBGA (13x15)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
117 mégahertz
Voltage - alimentation:
3.135V à 3.465V
Temps d'accès:
7,5 NS
Emballage / boîtier:
165-TBGA
Organisation de la mémoire:
128K x 36
Température de fonctionnement:
-40 °C à 125 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
Format de mémoire:
SRAM
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.
SRAM - mémoire IC SDR synchrone 4,5 Mbit parallèle 117 MHz 7,5 ns 165-TFBGA (13x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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