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Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
32Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
18ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
200-TFBGA (10x14.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:
2,133 gigahertz
Voltage - alimentation:
1.06V | 1.17V
Emballage / boîtier:
200-TFBGA
Organisation de la mémoire:
1G X 32
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - LPDDR4X mobile
Temps d'accès:
3,5 NS
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
32Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
18ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
200-TFBGA (10x14.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
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Fréquence d'horloge:
2,133 gigahertz
Voltage - alimentation:
1.06V | 1.17V
Emballage / boîtier:
200-TFBGA
Organisation de la mémoire:
1G X 32
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - LPDDR4X mobile
Temps d'accès:
3,5 NS
Format de mémoire:
DRAM
MT4réduction de la pollution atmosphérique
SDRAM - mémoire mobile LPDDR4X IC 32Gbit parallèle 2,133 GHz 3,5 ns 200-TFBGA (10x14.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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