ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Mettre en évidence:
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
128Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
166 MHz
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Temps d'accès:
5,4 NS
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
16M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM
Numéro du produit de base:
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Format de mémoire:
DRAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
128Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
166 MHz
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Temps d'accès:
5,4 NS
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
16M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM
Numéro du produit de base:
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Format de mémoire:
DRAM
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
La mémoire IC 128Mbit de SDRAM mettent en parallèle 166 mégahertz 5,4 NS 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

Puce de mémoire IC 64-FBGA

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