ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Détails de produit

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Définition: RAM IC 2MBIT parallèle 44TSOP2

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
35ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de série
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Everspin Technologies Inc.
Taille de mémoire:
2Mbit
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Temps d'accès:
35 ns
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
128K X 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa;
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation
Format de mémoire:
La RAM
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
35ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de série
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Everspin Technologies Inc.
Taille de mémoire:
2Mbit
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Temps d'accès:
35 ns
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
128K X 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa;
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation
Format de mémoire:
La RAM
Les données de l'échantillon doivent être fournies à l'autorité compétente.
MRAM (RAM magnétorésistive) mémoire IC 2Mbit parallèle 35 ns 44-TSOP2

Tags:

PC28F128J3F75F Mémoire flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Puce à puce de mémoire,

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